Isi kandungan:
- Takrif - Apakah maksud Memori Rawak Ferroelektrik (FRAM)?
- Techopedia menerangkan Memori Akses Rawak Ferroelektrik (FRAM)
Takrif - Apakah maksud Memori Rawak Ferroelektrik (FRAM)?
Memori akses rawak Ferroelektrik (FRAM, F-RAM atau FeRAM) adalah satu bentuk memori yang tidak menentu seperti DRAM dalam seni bina. Walau bagaimanapun, ia menggunakan lapisan ferroelektrik sebagai pengganti lapisan dielektrik untuk mencapai ketidaktentuan. Dianggap sebagai satu alternatif yang berpotensi untuk teknologi memori rawak yang tidak menentu, memori memori rawak fizikal menyediakan ciri yang sama seperti memori flash.
Techopedia menerangkan Memori Akses Rawak Ferroelektrik (FRAM)
Walaupun nama itu, memori fasa rawak fasa tidak benar-benar mengandungi sebarang besi. Ia noramlly menggunakan titanate zirkonat plumbum, walaupun bahan lain juga kadang-kadang digunakan. Walaupun pembangunan feroelektrik RAM bermula pada hari-hari awal teknologi semikonduktor, peranti pertama yang berdasarkan pada ferroelektrik RAM dihasilkan sekitar tahun 1999. Sel memori RAM ferroelektrik terdiri daripada garisan bit serta kapasitor yang disambungkan ke plat. Nilai binari 1 atau 0 disimpan berdasarkan orientasi dipol dalam kapasitor. Orientasi dipole boleh ditetapkan dan dibalikkan dengan bantuan voltan.
Berbanding dengan teknologi yang lebih mantap seperti flash dan DRAM, RAM feroelektrik tidak banyak digunakan. RAM Ferroelektrik kadang kala dimasukkan ke dalam cip berasaskan CMOS untuk membantu MCU mempunyai kenangan ferroelektrik mereka sendiri. Ini membantu dalam mempunyai tahap yang lebih sedikit untuk memasukkan memori ke dalam MCU, menghasilkan penjimatan kos yang ketara. Ia juga membawa satu lagi kelebihan yang mempunyai penggunaan kuasa yang rendah berbanding dengan alternatif lain, yang sangat membantu MCU, di mana penggunaan kuasa sentiasa menjadi penghalang.
Terdapat banyak faedah yang berkaitan dengan RAM ferroelektrik. Berbanding dengan storan kilat, ia mempunyai penggunaan kuasa yang lebih rendah dan prestasi menulis yang lebih cepat. Berbanding dengan teknologi yang serupa, fon ferroelektrik menyediakan lebih banyak kitaran menulis semula. Terdapat juga kebolehpercayaan data yang lebih besar dengan RAM ferroelektrik.
Terdapat kelemahan tertentu yang berkaitan dengan RAM ferroelektrik. Ia mempunyai kapasiti penyimpanan yang lebih rendah berbanding dengan peranti kilat dan juga mahal. Berbanding dengan DRAM dan SRAM, ferroelektrik RAM menyimpan kurang data dalam ruang yang sama. Selain itu, disebabkan proses membaca feroelektrik RAM yang merosakkan, senibina yang dibaca selepas dibaca diperlukan.
Ferroelektrik RAM digunakan dalam banyak aplikasi seperti instrumentasi, peralatan perubatan dan mikrokontroler industri.
