Isi kandungan:
Definisi - Apa maksud DRAM Segerak (SDRAM)?
Memori akses rawak dinamik selaras (SDRAM) ialah memori akses rawak dinamik (DRAM) dengan antara muka sejajar dengan bas sistem yang membawa data antara CPU dan hab pengawal memori. SDRAM mempunyai antara muka segerak yang cepat bertindak balas, yang selaras dengan bas sistem. SDRAM menunggu isyarat jam sebelum ia bertindak balas untuk mengawal input.
SDRAM didahului kadar data double (DDR). Antara muka yang lebih baru DRAM mempunyai kadar pemindahan data berganda menggunakan kedua-dua tepi jatuh dan naik isyarat jam. Ini dipanggil dual-pumped, double dipam atau peralihan ganda. Terdapat tiga ciri penting yang membezakan SDRAM dan DDR:
- Perbezaan utama ialah jumlah data yang dihantar dengan setiap kitaran, bukan kelajuan.
- SDRAM menghantar isyarat sekali setiap kitaran jam. DDR memindahkan data dua kali setiap kitaran jam. (Kedua-dua SDRAM dan DDR menggunakan kekerapan yang sama.)
- SDRAM menggunakan satu tepi jam. DDR menggunakan kedua-dua tepi jam.
SDRAM mempunyai modul 64-bit dengan modul memori inline dual-pin 168-pin panjang (DIMMs). Waktu capaian SDRAM adalah 6 hingga 12 nanodetik (ns). SDRAM adalah pengganti memori akses rawak dinamik (DRAM) dan EDO RAM. DRAM adalah sejenis memori akses rawak (RAM) yang mempunyai setiap bit data dalam komponen terpencil dalam litar bersepadu. RAM EDO yang lebih tua dilakukan pada 66 MHz.
Techopedia menerangkan DRAM Segerak (SDRAM)
Dengan litar elektronik yang lebih lama, kadar pemindahan adalah satu per kitaran penuh isyarat jam. Kitaran ini dipanggil naik dan jatuh. Isyarat jam berubah dua kali setiap pemindahan, tetapi garisan data berubah tidak lebih daripada satu kali setiap pemindahan. Sekatan ini boleh menyebabkan integriti (data rasuah dan kesilapan semasa penghantaran) apabila jalur lebar tinggi digunakan. SDRAM menghantar isyarat sekali setiap kitaran jam. DDR yang lebih baru menghantar dua kali setiap kitaran jam.
SDRAM diperbaiki DRAM dengan antara muka segerak menunggu denyutan jam sebelum ia memberi respons kepada input data. SDRAM menggunakan ciri yang dipanggil pipelining, yang menerima data baru sebelum menyelesaikan memproses data sebelumnya. Kelewatan pemprosesan data dipanggil latensi.
Teknologi DRAM telah digunakan sejak 1970-an. Pada tahun 1993, SDRAM telah dilaksanakan oleh Samsung dengan model KM48SL2000 DRAM segerak. Menjelang tahun 2000, DRAM digantikan oleh SDRAM. Pada permulaan SDRAM lebih lambat daripada pecah EDO DRAM kerana ciri logik tambahan. Tetapi manfaat SDRAM membolehkan lebih daripada satu set memori, yang meningkatkan kecekapan bandwidth.
Dengan pengenalan DDR, SDRAM dengan cepat mula memudar keluar kerana DDR lebih murah dan kos efektif. SDRAM menggunakan 168 pin manakala modul DDR menggunakan 184 pin. Modul SDRAM menggunakan voltan 3.3V dan DDR yang digunakan 2.6V, menghasilkan kurang haba.
